코스텍시스는 신제품인 ‘스페이서’와 ‘비아 스페이서’를 통해 와이어 본딩이 없는 첨단 전력 반도체 패키징 기술이 새로운 트렌드로 자리 잡고 있다고 밝혔다.

전력 반도체는 전기자동차, 산업, 철도, 풍력, 데이터 센터, 로봇 등 다양한 분야에서 전력 시스템을 제어하고 변환하는 데 널리 사용되고 있다.

일반적으로 반도체의 전기적 도선 및 신호 연결에는 와이어 본딩이 활용되지만 최근 SiC 및 GaN 전력 반도체가 고전압, 고주파 스위칭 동작을 수행하면서 본딩 와이어에서 기생 인덕턴스와 같은 전기적 특성 문제가 발생하고 있다. 또한 열팽창 계수 차이로 인한 열 스트레스가 가중되면서 특성이 저하되고, 피로 및 신뢰성 문제로 인해 고장 가능성이 높아지고 있다.

코스텍시스는 신제품 칩 스페이서와 비아 스페이서를 통해 본딩 와이어를 대체함으로써 낮은 기생 인덕턴스를 실현하고 전기적 특성을 개선할 수 있다고 설명했다. 또한 열 저항을 크게 감소시켜 전기적 및 열 성능뿐만 아니라 전력 모듈의 신뢰성까지 향상시킬 수 있다고 밝혔다.

코스텍시스는 전력 반도체 스페이서 개발을 완료했으며, 2024년부터 글로벌 대형 고객사들의 양산 퀄 테스트를 통과한 후 수주 활동을 활발히 진행하고 있다. 이를 위해 양산 시설 투자도 추진 중이며, 올해 6월부터 본격적인 양산을 시작할 계획이다.

현재 전 세계 많은 반도체 기업들이 SiC 반도체 8인치 웨이퍼 양산을 위한 대규모 시설 투자를 진행하고 있으며, 일부 기업은 이미 양산을 발표한 상태다. 이에 따라 본딩 와이어를 대체하는 전력 반도체 스페이서의 수요도 폭발적으로 증가할 것으로 예상되며, 회사 측은 향후 매출 성장이 크게 기대된다고 전했다.